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典型涡轮分子泵抽气系统涡轮分子泵抽气系统一般不需要用常见的液氮冷阱来阻止轴承润滑油或机械泵泵液的返流只要泵是以额定角速度旋转，那么泵对除很轻的气体氢以外的所有气体都具有比较高的压缩比，足以阻止这些气体从前级管道端返流到高真空端液氮冷却的表面不能捕集因压缩比低而返流到真空室的少量的氢液氮冷阱可用来提高系统对水蒸气的抽速，
其很好的安装位置是在高真空阀的后面，也就是直接设置在涡轮分子泵的喉部上方还可以考虑在高真空阀后面装一个三通管，把涡轮分子泵接在它的一个接口上，而把液氮冷却的表面接在另一个接口上而三通的任何两个接口之间的流导都要小于液氮冷阱的通导然而要使分子泵对水蒸气和空气都具有很大抽速，很佳的安排还是将液氮冷阱安装在涡轮分子泵和高真空阀门之间。
涡轮分子泵抽气系统既不需要用粗抽阱也不需要用前级管道冷阱粗抽与主抽系统之间较高的切换压力能防止机械泵油通过粗抽管道迁移到真空室中去，而泵对碳氢化物馏分的高压缩比也阻止它们从前级管道通过泵反扩散到真空室中去。
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半导体产业链IC制造行业属于典型的技术密集型行业，爱发科分子泵UTM-1001，产品技术含量非常高，同时对配套产业要求较高，其中就包括真空设备配套产业。真空设备（真空阀、真空泵、真空腔体及管道等）是半导体各工艺制程环节***的通用设备，广泛应用于芯片生产制造过程。 半导体制造设备及工艺流程半导体器件的生产制造工艺***复杂，需要在高纯度硅片上执行一系列精密的物理或者化学操作，例如掺入相应的其它元素、形成多种金属薄膜和绝缘膜、进行表面的刻蚀处理等。
这些复杂的生产制造工艺都需要在分子泵维持的高真空环境下进行，而且对真空系统和真空设备的洁净度也有着很高的要求。分子泵在半导体设备中的应用.在半导体生产制造工艺中，分子泵广泛应用于光刻机、薄膜沉积设备、刻蚀设备、离子注入机等关键设备。光刻机光刻机是生产大规模集成电路的设备，制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，世界上只有少数厂家掌握，因此光刻机价格昂贵。
光刻机光刻过程必须在高真空环境中实现，原因是极紫外光很娇贵，在空气中容易损耗。同时，在光刻过程中，设备的动作时间误差以皮秒计，这对磁悬浮分子泵的振动值要求极高。（注：皮秒=兆分之一秒）薄膜沉积指在晶圆表面生成多种薄膜，这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体。它们由不同的材料组成，是使用多种工艺生长或沉积的。
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许多设备在工作时都会产生磁场，比如，家用电冰箱的磁场强度约有10高斯（1mT），MRI（）的磁场强度甚至会高达3T；尽管可以采取屏蔽等措施，仍然可能会有外漏的杂散磁场，对工作在附近的分子泵产生不好的影响。磁场对涡轮分子泵的可能影响当涡轮分子泵的转子在磁场中旋转时，会产生涡流。这些电流倾向于阻碍转子的旋转，并导致电机的功率增大。
由于泵转子不与定子接触，涡生的热量和额外的功率主要通过辐射消散。因此，转子可能会过热，即使泵体及其它静止的部件仍然是冷的。为了确认磁场对分子泵工作的影响，德国卡尔斯鲁厄理工学院（）设计并执行了下面的测试：测试条件和装置被测分子泵的型号为TwisTorr304FSCFF6，使用一对亥姆霍兹线圈(直径120厘米)来产生包围整个泵的均匀磁场。
被测分子泵由一台涡旋干泵作为前级，分子泵的进气口压力抽至1E-3mbar以下（该压力以下，热对流几乎为零，分子泵转子的热量仅可以通过辐射传递出去很小的一部分）。使用20℃的冷却水对分子泵持续进行冷却；分子泵的控制器会自动调整电机电流，保持转子以恒定转速运行。
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